Intel finalizeaza memoria cu schimbare de faza

Intel si-a luat angajamentul ca spre sfarsitul acestui an sau eventual inceputul lui 2008 sa realizeze primele mostre de memorie cu shimbare de faza (Phase Change Memory, PCM). Acest nou tip de memorie vrea sa inlocuiasca in domeniul flash actuala memorie NAND, oferind ca avantaj o durabilitate mult mai mare. Astfel, in timp ce memoria NAND tine la aproximativ 10000 scrieri, aceasta PCM ar suporta undeva la 100 milioane scrieri pana sa dea semne de oboseala. Deci putem afirma ca se apropie de infinit (nimeni nu i-ar putea atinge limita).

In plus, PCM poate fi construita la scara mult mai mica decat NAND, ceea ce in timp o va face si mai ieftina de produs, si mai economica din punct de vedere al consumului electric. Primul prototip al unei memorii cu schimbare de faza a fost insa prezentat de IBM, acest prototip fiind de aproximativ 500 ori mai rapid ca o memorie NAND. Intel intentioneaza sa inceapa productia de PCM intr-un proces tehnologic de 90 nm.