Intel pregateste memorie flash 3D

Incepand cu cea de-a doua jumatate a anului viitor 2015, Intel va incepe comercializarea de SSD-uri ce vor avea la baza memorie flash tridimensionala. Noul proces tehnologic, dezvoltat in colaborare cu Micron, va permite in prima faza pana la 32 de straturi de memorie, ajungandu-se la chip-uri MLC de 32 GB (cu 2 bits per celula) sau TLC de 48 GB (cu 3 bits per celula).

Deci implicit capacitatile SSD-urilor vor creste, in timp ce costurile de productie vor scadea. Intel se asteapta ca in urmatorii cativa ani sa ajunga la 10 TB intr-un format de 2.5″, iar smartphone-urile si tabletele sa aiba fara prea mari probleme cate 1 TB de memorie interna. Totul datorita tehnologiei tridimensionale.

Din pacate nu ne asteptam ca preturile SSD-urilor Intel sa fie mai accesibile pe viitor, cu sau fara 3D NAND. Samsung are deja un astfel de proces tehnologic in lucru, denumit V-NAND, tot cu 32 de straturi, insa cu capacitati ceva mai mici (10.75 GB MLC si 16 GB TLC).