Memorie flash cu ECC

Cei de la Tosiba ne anunta ca au reusit o noua performanta in materie de memorie flash: integrarea de ECC (Error Correction Code) la nivelul acestor chip-uri SLC, realizate in procesul tehnologic de 32 nm. Noul modul este capabil sa corecteze 4 bits la 512 bytes, si degreveaza astfel controller-ul.

Memoria astfel creata a fost botezata „benand”, si se va extinde si la 24 nm cand noul proces tehnologic va fi viabil, in a doua parte a anului 2012. Noile chip-uri au capacitati de 4 sau 8 Gb.