Memorie flash la 20 nm

Cei de la Samsung au anuntat ca urmeaza sa inceapa productia de memorie flash in procesul tehnologic MLC de 20 nm si 32 Gb. Initial, aceasta memorie va fi folosita la telefoane mobile si card-uri de memorie, oferind capacitati intre 4 GB si 64 GB. Astfel se inlocuieste actualul proces de 30 nm.

Iar Samsung ne asigura ca noile memorii flash pot atinge o productivitate cu 50% mai mare, si performante cu 30% mai bune decat la 30 nm. Primele mostre sunt deja trimise partenerilor, iar productia la scara larga va fi demarata mai tarziu acest an. Pana atunci va fi perfectionat procesul tehnologic, pentru a fi obtinute randamente cat mai bune.