Memorie flash pe 19 nm

Cei de la Toshiba au anuntat perfectionarea procesului tehnologic de 19 nm destinat productiei de memorie flash. Primele mostre de chip-uri cu 2 bits per celula si capacitate de 8 GB vor fi gata la sfarsitul acestei luni, iar productia la scara larga va incepe undeva in cel de-al treilea sfert al acestui an 2011.

Cu ajutorul chip-urilor de 8 GB Toshiba va putea realiza SSD de mici dimensiuni de pana la 128 GB, ce vor putea fi foarte usor integrate in dispozitive mobile, ca smartphone-uri si tablet PC-uri. Si se intentioneaza folosirea procesului tehnologic de 19 nm si la realizarea de chip-uri cu 3 bits per celula. Insa asta putin mai tarziu.