Module RAM de 32 GB pe 30 nm

Cei de la Samsung se pregatesc sa demareze productia de module DDR3 de 32 GB realizate in procesul tehnologic de 30 nm, cu ajutorul tehnologiei de aranjare tridimensionala a celulelor TSV (Through Silicon Via). Aceastea urmeaza sa aiba o frecventa de 1333 MHz, si un consum redus, de numai 4.5 W.

Noile module vor fi destinate server-elor ce au nevoie de cat mai multa memorie, dar in acelasi timp nu trebuie sa consume prea multa electricitate. Si cu siguranta nu vor fi ieftine.