La sfaristul anului trecut, producatorul sud-corean isi anunta intentia de a realiza primul chip de memorie DDR3 de 2 GB, insa Samsung si-a intrecut propriile asteptari in aceasta privinta.
Astfel, compania a dezvoltat primul chip de memorie DDR3 de 4GB din lume, chip fabricat in proces de 50 nm. Acesta functioneaza la o tensiune de alimentare de numai 1.35 volti, iar viteza maxima atinsa este de 1600 MHz.
Din punct de vedere al consumului de energie, noul chip consuma cu pana la 40% mai putin decat modulele similare de DDR 3 de 2 GHz, in cazul in care configuratia sistemului atinge o capacitate totala a memorie de 16 GB. Aceasta performanta se datoreaza densitatii foarte mari si a utilizarii unui numar de 32 de cipuri in loc de 64.
Noile cipuri produse de Samsung sunt destinante pentru inceput numai mediilor server caracterizate de un consum eficient de energie electrica. Totusi, pe baza aceluiasi proces de fabricatie Samsung poate dezvolta chipuri de 8 GB pentru mediile desktop.