Totusi un grup de cercetatori de la Universitatea Statului North Carolina, SUA, au reusit sa unifice aceste doua standarde, prin intermediul noului tranzistor DFG-FET (Dual Floating Gate Field Effect Transistor). Acesta poate functiona ca oricare din cele doua tipuri de memorie, trecerea facandu-se printr-o simpla schimbare de voltaj.
Si ideea ar fi ca DFG-FET sa functioneze in parametri de RAM, la sfarsitul operatiilor, imediat inaintea opririi sistemului, trecandu-se in mod NAND pentru a fi pastrata informatia. Desigur, era mai convenabil sa fie conceput un dispozitiv care sa nu mai necesite aceasta tranzitie. Dar pana atunci ne multumim cu DFG-FET.
Foarte important ar fi si pretul de productie pentru chip-uri realizate pe baza acestui nou tip de tranzistori. Pentru ca va fi nevoie de capacitati ridicate, similare celor oferite de memoria NAND si SSD-uri, nu limitate ca la modulele RAM. Dar pana atunci mai avem de asteptat mult, avand in vedere ca DFG-FET este inca o tehnologie la stadiul de proiectare.