Samsung a dezvăluit primul modul RAM DDR5-7200 cu capacitate de 512 GB. Comparativ cu modulele DDR4, cele DDR5-7200 oferă performanță cu până la 40% mai bună, capacitate de două ori mai mare și tensiune de alimentare de doar 1.1 V. Compania sud-coreeană menționează că modulul de 512 GB este realizat prin tehnologia through-silicon via (TSV), lucru ce permite suprapunerea a opt die-uri (vs. patru cât era posibil pe standardul DDR4). Deși densitatea die-urilor a crescut considerabil față de DDR4, Samsung a reușit să reducă spațiul dintre die-uri cu până la 40%, scăzând astfel grosimea stack-urilor de la 1.2 mm la 1 mm.
Tensiunea de alimentare este cu 8% mai mică decât cea necesară modulelor DDR4 și a fost obținută prin optimizarea IC-ului de power management și a regulatorului de tensiune. Totodată, modulul sosește cu on-die error-correction code (ODECC) pentru a îmbunătăți stabilitatea sistemelor și siguranța datelor.
Deși toate acestea sună foarte bine pentru viitorul standardului DDR5, modulele cu densitate ridicată vor fi destinate exclusiv datacenterelor, cele consumer fiind limitate cel mai probabil la 64 GB. Chiar și așa, pe un sistem obișnuit (non-HEDT) cu patru sloturi pentru memorii, limita de capacitate se dublează, ajungând la 256 GB.
Sursa: Tom’s Hardware