Samsung Makes 50 nm DDR2 Chips

Samsung reuseste sa treaca de la procesul tehnologic de 60 nm la cel de 50 nm pentru producerea chip-urilor DDR2. Totodata, noul proces tehnologic include un design cu 3 tranzistori dimensionali si o tehnologie dielectrica multistratificata. Astfel va creste atat randamentul cu 55%, cat si capacitatea acestor chip-uri. Primele versiuni vor fi de 1Gb (gigabit).

Chip-urile pe 50 nm se vor regasi atat in memoria desktop, cat si in cea mobile si chiar in cea video in scurt timp.

In acelasi timp, Samsung cerceteaza dezvoltarea de memori PRAM (Phase change RAM). Aceasta ar trebui sa inlocuiasca actuala memorie flash, fiind mai rapida (de pana la 30 ori), mai fiabila (de aproape 10 ori), de dimensiuni mai mici (jumate) si mai usor de produs. Aceste proprietati se datoreaza in parte modului in care PRAM scrie date noi (nu trebuie sa le stearga pe cele vechi inainte). PRAM va iesi pe piata la inceputul lui 2008, insa probabil ca nu va afecta din start industria memoriei flash.