SanDisk trece la 43 nm

SanDisk, binecunoscutul producator de memorie flash, a declarat ca a inceput sa-si produca chip-urile de memorie in procesul tehnologic de 43 nm MLC (Multi Level Cell). Pana acum s-a lucrat pe 56 nm la SandDisk, in timp ce rivalii de la Samsung au folosit 50 de nm de mai bine de un an.

Pregresul a fost realizat in colaborare cu Toshiba, cu care SanDisk are o colaborare stransa. Noul proces tehnologic permite un page size de 8 KB, si va debuta cu memorii de 2 GB in sfertul al doilea al lui 2008, urmand ca dupa jumatea anului sa vedem si modele de 4 GB.

Tot impreuna cu Toshiba, Sandisk a mai reusit si sa inghesuie trei bits intr-o celula de memorie flash, fata de doi cat incapeau pana acum, ceea ce le va permite sa atinga o densitate si mai mare. Mostre ale acestei performante vor fi prezentate in lunile martie – aprilie ale lui 2008.