Dar stim ca TSMC planuieste ulterior sa treaca direct la 20 nm, fara a mai poposi la nivelul de 22 nm, cum intentioneaza GlobalFoundries si Intel la sfarsitul anului 2011 – inceputul lui 2012. Pentru procesul tehnologic de 20 nm se va folosi litografie cu imersie high-k/metal gate cu interconectari ultra-low-k cu rezistenta scazuta.
Si se gandesc si mai departe, la un proces de 14 nm sau chiar si mai putin, pentru anul 2014. Insa migrarea de la 20 nm se asteapta sa fie mult mai lenta si anevoioasa, ajungandu-se la dimensiuni care vor pune mari probleme tehnice.