Memoria flash realizata in procesul tehnologic de 15 nm ar trebui sa fie de 1.3 ori mai rapida decat actuala versiune de 19 nm. Productia va fi demarata saptamana viitoare, la fabrica Toshiba 5 din Yokkaichi, in cadrul prefecturii Mie a Japoniei. Dupa care ulterior se va trece si la celule cu trei bits.
Memorie flash pe 15 nm de la Toshiba
