In caz ca va intrebati ce se mai intampla prin lumea SSD-urilor, aflati ca multi producatori sunt la limita supravieturii. De fapt, abia isi fac loc pe o piata foarte aglomerata unde doar o mana de companii reusesc sa se mentina. Samsung domina de departe aceasta piata, la mare distanta fata de locul 2.
Toshiba si WD au o noua fabrica in Japonia
In septembrie 2014 Toshiba si SanDisk au demarat constructia unei noi fabrici de memorie flash in Yokkaichi, prefectura Mie, Japonia. Aceasta se numeste simplu Fab 2, si tocmai a fost finalizata. Are o suprafata de 27 600 m2, si cinci etaje, si este gata de lucru.
Toshiba are memorie flash cu 16 straturi
Micsorarea procesului tehnologic a devenit din ce in ce mai dificila. Acest fapt s-a observat cel mai clar la Intel si TSMC, dar toti producatorii de chip-uri au suferit mai mult sau mai putin. Toshiba realizeaza memorie flash pe 15 nm de ceva timp. Si cum in jos era cam greu sa mearga, a ramas […]
Samsung a dezvaluit o memorie flash de 128 GB ieftina
Doar pentru ca nu esti dispus sa iti cumperi un smartphone high end, nu inseamna ca trebuie sa faci un compromis in privinta spatiului de stocare. Samsung a anuntat recent un chip NAND de tip eMMC 5.0, ce are o capacitate de stocare de 128 GB. Noile memorii flash retin 3 bits intr-o celula, iar […]
Samsung are noi chip-uri flash
Pe langa platforme realizate in procesul tehnologic de 14 nm FinFET, cum ar fi Exynos 7420 din recent lansatele telefoane Galaxy S6 si S6 Edge, Samsung mai are un subiect de lauda in industria ultra mobila: memoria flash UFS 2.0 de mare capacitate. Pe scurt vorbim despre noi astfel de chip-uri, mai rapide si mai […]
Intel pregateste memorie flash 3D
Incepand cu cea de-a doua jumatate a anului viitor 2015, Intel va incepe comercializarea de SSD-uri ce vor avea la baza memorie flash tridimensionala. Noul proces tehnologic, dezvoltat in colaborare cu Micron, va permite in prima faza pana la 32 de straturi de memorie, ajungandu-se la chip-uri MLC de 32 GB (cu 2 bits per […]
Memorie flash pe 15 nm de la Toshiba
Toshiba este unul dintre principalii producatori de memorie flash. Si acum ca a achizitionat divizia OCZ si are o mai buna piata de desfacere, vrea sa-si fortifice pozitia. Si in acest scop se pregateste de procesul tehnologic de 15 nm. Initial pentru chip-uri cu doi bits per celula si capacitate de 16 GB.
Micron ajunge la 16 nm
Cei de la Micron se pregatesc sa treaca la un nou proces tehnologic pentru productia de memorie flash: 16 nm. Acesta este, conform lor, cel mai avansat si mai economic, si permite realizarea celor mai mici astfel de chip-uri.
Flash pe 19 nm la generatia a doua
Toshiba produce memorie flash in procesul tehnologic de 19 nm inca din anul 2011. Si de la bun inceput a realizat astfel chip-uri cu 2 bits per celula si capacitate de 8 GB, cu promisiuni ferme ca intr-un timp relativ scurt va trece la 3 bits per celula. Insa totul a ramas la nivel de […]
GlobalFoundries si Infineon colaboreaza pe 40 nm
In loc sa miniaturizeze cat mai repede productia pentru a ajunge din urma concurenta si a castiga cat mai multi clienti, cei de la GlobalFoundries au facut un parteneriat cu Infineon pentru a dezvolta memorie eFlash pe 40 nm. Aceasta urmeaza sa fie folosita la controller-e in industra de automobile.
Memorie flash rapida de la Samsung
Samsung intentioneaza sa realizeze un nou timp de memorie flash, menita pentru a ajunge in special la interiorul telefoanelor mobile. Aceasta se numeste eMMC, vine sub forma de chip-uri de 64 GB, de 11.5*13 mm (cu 20% mai mici), si este realizata in procesul tehnologic de 10 nm.
Hynix prefera memoria flash
Intr-un moment in care memoria RAM este din ce in ce mai ieftina, iar momoria flash din ce in ce mai cautata, Hynix a luat decizia sa-si retehnologizeze fabrica din Wuxi, China. De acum inainte aici se va produce memorie flash in loc de RAM. Astfel, Hynix spera sa lupte ceva mai aprig impotriva principalului […]
Memorie flash cu ECC
Cei de la Tosiba ne anunta ca au reusit o noua performanta in materie de memorie flash: integrarea de ECC (Error Correction Code) la nivelul acestor chip-uri SLC, realizate in procesul tehnologic de 32 nm. Noul modul este capabil sa corecteze 4 bits la 512 bytes, si degreveaza astfel controller-ul.
Memorie flash pe 19 nm
Cei de la Toshiba au anuntat perfectionarea procesului tehnologic de 19 nm destinat productiei de memorie flash. Primele mostre de chip-uri cu 2 bits per celula si capacitate de 8 GB vor fi gata la sfarsitul acestei luni, iar productia la scara larga va incepe undeva in cel de-al treilea sfert al acestui an 2011.
SSD-uri pe 20 nm
Intel si Micron au anuntat punerea la punct a procesului tehnologic de 20 nm pentru memoria flash. Si chiar daca la inceput de drum, cu o potentiala productie la scara larga asteptata cel mai devreme spre sfarsitul acestui an 2011, noul proces tehnologic pare destul de avantajos.