Pe langa platforme realizate in procesul tehnologic de 14 nm FinFET, cum ar fi Exynos 7420 din recent lansatele telefoane Galaxy S6 si S6 Edge, Samsung mai are un subiect de lauda in industria ultra mobila: memoria flash UFS 2.0 de mare capacitate. Pe scurt vorbim despre noi astfel de chip-uri, mai rapide si mai incapatoare.
Samsung a obtinut astfel in premiera 128 GB intr-un singur chip flash, de doua ori mai mare decat actualele eMMC-uri 5.0. Iar standard-ul UFS 2.0 (Universal Flash Storage) certifica proprietatile de 19K IOPS la citire si 15K IOPS la scriere. Adica de aproximativ 2.7 ori mai rapid ca eMMC 5.0.
Aceste noi chip-uri vor veni si in capacitati de 64 GB si 32 GB, in format ePoP (embedded Package on Package), putand fi atasat direct peste chipset pentru a economisi 50% din suprafata.