Samsung avea planificată începerea producției de cipuri pe 3 nm în prima jumătate a anului și, din câte se pare, termenul va fi respectat. Compania sud-coreeană a anunțat investitorii că producția de cipuri comerciale pe 3 nm va fi demarată în următoarele săptămâni. Aceasta va folosi în premieră procesul transistors multi-bridge-channel field-effect transistors (MBCFET), care vine cu o serie de avantaje importante față de vechiul proces FinFET pe 7 nm: rulează la tensiuni de sub 0.75 V, are un consum de energie cu 50% mai mic, oferă performanțe cu până la 30% mai bune, iar aria die-urilor este cu până la 45% mai mică.
Deși în teorie noua tehnologie este mult mai bună decât ce avem acum pe piață, compania nu a comunicat randamentul preconizat. Samsung a avut probleme serioase la fabricația cip-urilor pe 4 nm și tocmai din acest motiv Qualcomm a ales să mute producția SoC-urilor sale de ultimă generație la TSMC.
Via Techspot
Lasa un comentariu!