Uite ca se intampla ceva notabil pe partea de memorii DRAM. Neo Semiconductor, o companie din California, a lansat o solutie revolutionara pentru cresterea densitatii cipurilor DRAM cu o tehnologie 3D. Noile cipuri vor putea oferi o densitate mai mare, deci o capacitate mai mare per modul.
Neo Semiconductor spune ca tehnologia lor e 3D X-DRAM este prima de tip 3D NAND dni lume pentru memoriile DRAM, fiind dezvoltata pentru a rezolva blocajul de capacitate al actualei tehnologii 2D.
Structura de matrice de celule DRAM 3D NAND are la baza tehnologia celulelor cu corp flotant fara condensator. Cipurile sunt fabricate cu aceleasi metode utilizate si in prezent, iar structura celulara simplifica numarul de etape ale procesului, oferind o viteza mai mare, o densitate mai inalta, costuri mai reduse dar un randament mai ridicat. 
Compania estimeaza ca noua sa tehnologie poate atinge o densitate de 128Gb cu 230 de straturi, de 8 ori mai mare decat densitatea DRAM din prezent. Tot ei au declarat ca exista un efort din partea intregii industrii pentru a aduce solutii de suprapunere 3D pe piata DRAM.
Solutia 3D X-DRAM va evita intarzierile de aproape 10 ani pentru adoptarea tehnologiei 3D NAND de catre producatori, asta in timp ce aplicatiile pentru inteligenta artificiala vor necesita sisteme cu memorie mai multa si mai rapida.
CEO-ul companiei, Andy Hsu, a declarat ca tehnologia lor este simpla, ieftina de fabricat si de scalat si ar putea reprezenta un boom, in special pe piata serverelor. Pana la mijlocul anilor 2030, compania spera sa ofere o crestere de la 128Gb la 1Tb.
Lasa un comentariu!