Samsung a demarat producția în masă pentru NAND-urile QLC V-NAND pe 280 de straturi. Acestea aduc o creștere a densității de 50% față de cele QLC pe 232 de straturi de la YMTC, dar și o îmbunătățire a vitezei de transfer la 3.2 Gbps, față de 2.4 Gbps cât era pe NAND-urile QLC Samsung din generația precedentă. Astfel, NAND-urile QLC de la Samsung ajung să ofere performanțe comparabile cu cele TLC. Totodată, noile NAND-uri QLC aduc îmbunătățiri și în materie de uniformitate la nivelul straturilor, permițând o retenție a datelor cu până la 20% mai bună, dar și noi mecanisme de optimizare: Predictive Program, care reduce considerabil numărul operațiunilor nenecesare, precum și Low-Power Design, menit să reducă tensiunea de alimentare la nivelul celulelor cu până la 30% și 50% în cazul operațiunilor de citire, respectiv scriere.
În acest fel, viitoarele SSD-uri entry-level bazate pe aceste NAND-uri vor avea performanțe cu până la 60% mai bune, dar și o densitate cu 86% mai mare, permițând creșterea capacității și reducerea prețurilor SSD-urilor cu până la 50% în cazul modelelor de capacitate mare. În faza inițială, Samsung fabrică NAND-uri QLC din noua generație doar în variantă de 1 TB pentru propriile medii de stocare, însă ulterior va extinde capacitatea de producție și pentru dispozitive mobile, PC-uri, servere și data centere.
Via Techspot
Lasa un comentariu!