Densitatea mediilor de stocare flash crește extrem de rapid, NAND-urile ajungând în prezent la câteva sute de straturi și la capacități de sute de GB pe fiecare die. V-NAND-urile QLC pe 280 de straturi de la Samsung au intrat recent în faza de producție în masă, aducând nu doar densitate de stocare mai mare și costuri mai mici, ci și o creștere considerabilă a performanțelor. Acum, compania sud-coreeană are în dezvoltare următoarea generație de V-NAND, care va fi pe 400 pe straturi și va permite realizarea de SSD-uri PCIe 5.0 cu capacități de până la 16 TB la costuri mai mici.
Însă viitoarea tehnologie vine cu unele provocări, iar din acest motiv ar putea intra în faza de producție în masă cel mai devreme la sfârșitul anului 2025. Randamentul V-NAND-urilor pe 400 de straturi este momentan extrem de mic, iar din acest motiv Samsung a început să experimenteze cu alte tipuri de aranjamente la nivelul die-urilor. Astfel, se plănuiește separarea celulelor de memorie TLC de circuitele periferice pe wafere diferite, ulterior acestea fiind îmbinate pe o structură verticală. Noul design este unul deosebit de complex, reprezentând o schimbare radicală de la procesele de fabricație convenționale, însă aduce unele avantaje majore: densitate crescută și o îmbunătățire a performanțelor, atât la citire, cât și la scriere cu până la 80%, reușind astfel să satureze o magistrală PCIe 5.0 x4. Nevoia de medii de stocare mai rapide, mai încăpătoare și mai accesibile vine pe fondul avansului tehnologiei AI și a cererii foarte mari din partea datacenterelor. În prezent, Samsung deține 37% din piața NAND flash, fiind urmat de Sk Hynix cu 22%, Kioxia cu 14%, Micron cu 12% și Western Digital cu 10%.
Via Techspot
Lasa un comentariu!