Cei de la Toshiba au pus la punct o noua varianta de memorie Flash, realizata in procesul tehnologic de 32 nm. Aceasta se numeste DDR Toggle Mode NAND, si pentru a maximiza performanta dar si a scadea consumul electric, stie sa treaca din mod sincronizat in asincronizat si invers dupa necesitate.
Chip-urile vor fi atat MLC-uri de 8, 16 sau 32 GB, cat si SLC-uri de 4, 8 si 16 GB. Iar interfata aleasa pentru a suporta totul are 133 MHz (fata de 40 MHz cat este normalul de azi). Insa Toshiba nu redescoperit memoria Flash. Pentru ca Samsung are deja chi-uri similare, si mai performante. Si deja implementate in SSD-uri de ultima generatie.
E corect?!