Samsung a finalizat procesul de 3nm Gate-All-Around sau GAA luna trecuta, iar acum au facut si prima livrare de cipuri. Dezvoltarea acestei tehnologii a inceput prin anii 2000.
Fata de FinFET, un design al cipurilor folosit in ultimii ani, GAA ofera un consum cu 45% mai mic de energie, o performanta cu 23% mai mare si dimensiuni mai mici cu 16% comparativ cu un cip de 5nm FinFET.
Este un proces de fabricatie interesant cu un design la care s-a lucrat peste 20 de ani. De asemenea, generatia a doua a acestor cipuri va fi si mai buna si cred ca multi vor recomanda a doua generatie decat prima.
TSMC produce pe 3nm de anul trecut dar cu design FinFET, urmand ca tranzitia la 2nm sa aiba loc folosind designul GAAFET.
Lasa un comentariu!