Samsung a anuntat deja ca a demarat productia de memorie RAM realizata in procesul tehnologic tridimensional de 30 nm TSV (Through Silicon Via). Acum si Micron se alatura acestui club exclusivist de producatori de microchip-uri 3D, din care mai nou face parte si Intel. Si ei vor utiliza aceasta tehnologie tot pentru realizarea memoriei RAM.
Insa se vor folosi de capacitatile de productie ale celor de la IBM, neavand propriile fabrici, ca Samsung si Intel. Noile module vor fi realizate intr-un proces de 32 nm HKMG TSV, care presupune aranjarea atat pe orizontala cat si pe verticala a tranzistorilor, sub forma unor foite plane paralele, interconectate prin intrmediul unor conducte electrice verticale.
Avantajele acestei implementari, denumita de IBM si Micron Hybrid Memory Cube, sunt cat se poate de clare: viteza mai mare de acces (ne este promisa o latime de banda de pana la 15 ori mai mare decat normal, deja undeva la 128 GB/sec in prototipuri), consum electric redus (cu pana la 70%), si costuri de fabricatie mult mai mici (din moment ce astfel de chip-uri au suprafete de numai 10% comparativ cu cele conventionale).
