Huawei se pregătește să își facă singură ordine în lanțul de aprovizionare și lucrează, alături de autoritățile chineze și de compania Swaysure, la o fabrică de memorie DRAM cu o capacitate planificată de 140.000 de waferi pe lună în Shenzhen.
Criza de memorii RAM s-ar putea încheia în a doua jumătate a anului viitor datorită producătorilor chinezi, susține un fost director al Samsung
Kyung Kye-hyun, fostul președinte al diviziei de semiconductori a Samsung Electronics, estimează că actuala criză de memorie ar putea lua sfârșit începând cu a doua jumătate a anului 2027, datorită unui val masiv de producție venit din China.
SK Hynix: criza de memorii RAM ar putea persista până în 2030
Dezvoltarea centrelor de date pentru inteligența artificială continuă să pună presiune pe memoriile RAM, iar potrivit declarațiilor președintelui conglomeratului sud-coreean SK Group, situația ar putea persista până în 2030.
Ne așteaptă scumpiri majore și probleme serioase cu stocurile pentru memorii RAM, SSD-uri și HDD-uri începând de anul viitor
Producătorii de memorii DRAM, NAND flash, SSD-uri și HDD-uri trag un semnal de alarmă asupra cererii tot mai mari de medii de stocare și memorii RAM din partea datacenterelor.
Samsung depășește așteptările în primul trimestru din 2025
Samsung a prezentat cifre preliminare pentru primul trimestru, care au depășit așteptările, cu vânzări în creștere față de anul anterior și profit operațional probabil constant.
Criza de cipuri se va extinde în 2023, susține Micron. Prețurile SSD-urilor și memoriilor RAM vor crește
Reprezentanții Micron nu sunt prea optimiști în ceea ce privește actuala criză de cipuri.
Samsung anunță primele memorii DRAM LPDDR5X. Performanță cu 30% mai bună și consum de energie cu 20% mai mic
Samsung a anunțat astăzi primele memorii DRAM LPDDR5X pentru dispozitive mobile. Acestea sunt realizate printr-un proces de fabricație pe 14 nm și oferă un spor de performanță de până la 30% și un consum de energie cu 20% mai mic față de memoriile din generația anterioară. Fiecare die LPDDR5X are o capacitate de 16 GB, […]
SK hynix anunță HBM3 – cea mai rapidă memorie DRAM
SK hynix anunță High Bandwidth Memory 3 (HBM3), cea mai rapidă memorie DRAM de până acum. Are lățime de bandă de 819 GB/s, dublu față de HBM2 și este disponibilă în capacități de 16 sau 24 GB. Die-urile sunt foarte subțiri, având doar 30 μm (1/3 din grosimea unei coli A4) și pot fi suprapuse […]
Samsung anunță primul modul RAM DDR5-7200 cu capacitate de 512 GB
Samsung a dezvăluit primul modul RAM DDR5-7200 cu capacitate de 512 GB. Comparativ cu modulele DDR4, cele DDR5-7200 oferă performanță cu până la 40% mai bună, capacitate de două ori mai mare și tensiune de alimentare de doar 1.1 V. Compania sud-coreeană menționează că modulul de 512 GB este realizat prin tehnologia through-silicon via (TSV), […]