Desi initial TSMC dorea sa aduca procesul tehnologic high-K metal gate inca de la 32 nm, si-a amanat aceasta miscare pentru 28 nm. La 32 nm se va multumi cu o perfectionare a procesului tehnologic folosit si la 40 nm (silicon oxynitride). Cei de la IBM, Samsung sau Chartered isi pastreaza intentia de a folosi high-K metal gate inca de la 32 nm.
Dar nici la 28 nm lucrurile nu vor fi foarte clare pentru TSMC. Compania taiwaneza va oferi clientilor sai doua variante de productie: high-K metal gate sau silicon oxynitride. Iar high-K metal gate va exista si ea sub doua variante: pentru consum redus sau pentru performanta sporita.