Samsung a anunțat memoriile flash UFS 4.0 pe care le vom găsi pe următoarele generații de flagship-uri. Acestea oferă rate de transfer de până la 23.2 Gbps pe fiecare lane, de două ori mai bune decât standardul UFS 3.1. Sunt bazate pe tehnologia Samsung V-NAND 7th gen și pot asigura viteze de până la 4.200 MB/s la citire și de până la 2800 MB/s la scriere. Conform declarațiilor Samsung, memoriile UFS 4.0 sunt ideale pentru smartphone-urile 5G, putând satisface cerințele de transfer pentru aplicații VR, AR și automotive foarte complexe.
Pe lângă creșterea ratelor de transfer, UFS 4.0 vine și cu o îmbunătățire de 46% a eficienței energetice. Consumă doar 1 mA la 6 MB/s, iar asta ar trebui să aducă și o ușoară creștere a autonomiei. Totodată, die-urile vor fi și ceva mai mici decât până acum, un modul UFS 4.0 măsurând doar 11 x 13 x 1 mm.
Memoriile UFS 4.0 vor intra în producție în trimestrul 3 și vor fi disponibile în capacități de până la 1 TB. Din păcate, e posibil ca acestea să sosească prea târziu pentru viitoarea generație de flagship-uri pliabile de la Samsung, însă cu siguranță vor ajunge pe seria Galaxy S23.